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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Growth and Characterization of Linearly Graded SiGe Buffer
组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征
LI Dai, |zong, CHENG Bu, |wen, HUANG Chang, |jun, WANG Hong, |jie, YU Zhuo, ZHANG Chun, |hui, YU Jin, |zhong, WANG Qi, |ming,
李代宗, 成步文, 黄昌俊, 王红杰, 于卓, 张春晖, 余金中, 王启明
Keywords: UHV/CVD,SiGe,Raman,AES,double\|crystal X\|ray diffraction
超高真空化学气相淀积,SiGe,Raman散射,俄歇电子能谱,X射线双晶衍射
Abstract:
采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .分析了位错团产生的原因 Full-Text
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