%0 Journal Article
%T Growth and Characterization of Linearly Graded SiGe Buffer<br>组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征
%A LI Dai
%A |zong
%A CHENG Bu
%A |wen
%A HUANG Chang
%A |jun
%A WANG Hong
%A |jie
%A YU Zhuo
%A ZHANG Chun
%A |hui
%A YU Jin
%A |zhong
%A WANG Qi
%A |ming
%A <br>李代宗
%A 成步文
%A 黄昌俊
%A 王红杰
%A 于卓
%A 张春晖
%A 余金中
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .分析了位错团产生的原因
%K UHV/CVD
%K SiGe
%K Raman
%K AES
%K double\|crystal X\|ray diffraction<br>超高真空化学气相淀积
%K SiGe
%K Raman散射
%K 俄歇电子能谱
%K X射线双晶衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DA66EA92E25A1D75&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A6B1729CC57A879A&eid=CA10C709B736BBEA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=17