Quantitative Investigation of Surface Layer Structure of GaAs(100) After Thermal Annealing by Angular Dependent XPS
GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析

利用变角X射线光电子能谱(XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算GaAs(100)在600—675℃热退火处理后表面组分/深度的定量变化.在GaAs表面氧化物与衬底之间存在一过渡层,即弛豫层,该层在自然情况下为富As的结构,经600℃以上的温度退火后,成为富Ga的结构.实验和计算发现该层的厚度和Ga的相对含量随退火温度增加而增大,即弛豫层中的Ga含量由53.4%变为62.1%,弛豫层厚度由1.3nm变为2.2nm.