%0 Journal Article
%T Quantitative Investigation of Surface Layer Structure of GaAs(100) After Thermal Annealing by Angular Dependent XPS<br>GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析
%A WANG Gui
%A |hua
%A YANG Wei
%A |yi
%A CHANG Ben
%A |kang
%A <br>汪贵华
%A 杨伟毅
%A 常本康
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用变角X射线光电子能谱(XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算GaAs(100)在600—675℃热退火处理后表面组分/深度的定量变化.在GaAs表面氧化物与衬底之间存在一过渡层,即弛豫层,该层在自然情况下为富As的结构,经600℃以上的温度退火后,成为富Ga的结构.实验和计算发现该层的厚度和Ga的相对含量随退火温度增加而增大,即弛豫层中的Ga含量由53.4%变为62.1%,弛豫层厚度由1.3nm变为2.2nm.
%K GaAs
%K X-ray photoelectron spectroscopy
%K layer stucture
%K thermal annealing<br>砷化镓
%K X射线光电子能谱
%K 层结构
%K 热退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BD1CCCC4FC9CA854&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=E934BC2766053B28&eid=8DDBA6455F2E3ECF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10