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ISSN: 2333-9721
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硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响

Keywords: 硅片,预退火,器件,二极管,反向恢复时间

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Abstract:

本文研究了预退火对二极管反向恢复时间的影响.为获得满意的反向恢复时间,硅棒上不同部位的硅片需要不同的预退火温度.头、中、尾部的硅片最佳预退火温度分别为600℃、700℃、800℃,这是因为不同部位的硅片中主导少子寿命的因素不同.

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