%0 Journal Article
%T 硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响
%A 张剑平
%A 季振国
%A 杨启基
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文研究了预退火对二极管反向恢复时间的影响．为获得满意的反向恢复时间，硅棒上不同部位的硅片需要不同的预退火温度．头、中、尾部的硅片最佳预退火温度分别为600℃、700℃、800℃，这是因为不同部位的硅片中主导少子寿命的因素不同．
%K 硅片
%K 预退火
%K 器件
%K 二极管
%K 反向恢复时间
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=068A4CA5F1BA00D8&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=38B194292C032A66&sid=E089FDF3CDAE8561&eid=0DEB7A8A66C33AAD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1