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Keywords: 硅,氮,电学行为,半导体材料
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用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为.结果指出:氮对热施主无明显的促进和抑制作用;NCZSi中不存在“热受主”,NCZSi的电学性质上的特点是氮氧复合物施主;氮氧复合物及其施主呈现可逆性;NCZSi的电阻率稳定化处理温度初步可选为900℃.
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