%0 Journal Article
%T 硅中氮的电学行为的研究
%A 佘思明
%A 李冀东
%A 廖平婴
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃．
%K 硅
%K 氮
%K 电学行为
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A04919FA9F40872C&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=1A363081E1FF7014&eid=6826CBE9C80ACB20&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10