Low Noise Microwave SiGe HBTs
微波低噪声SiGe HBT的研制
QIAN Wei,
ZHANG Jin shu,
JIA Hong,
|yong,
LIN Hui,
|wang,
TSIEN Pei,
|xin,
钱伟,
张进书,
贾宏勇,
林惠旺,
钱佩信
Keywords: HBT,SiGe,microwave,low noise
HBT,SiGe,微波,低噪声
Abstract:
利用3μm工艺条件制得SiGeHBT(HeterojunctionBipolarTransistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景
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