%0 Journal Article
%T Low Noise Microwave SiGe HBTs<br>微波低噪声SiGe HBT的研制
%A QIAN Wei
%A ZHANG Jin shu
%A JIA Hong
%A |yong
%A LIN Hui
%A |wang
%A TSIEN Pei
%A |xin
%A <br>钱伟
%A 张进书
%A 贾宏勇
%A 林惠旺
%A 钱佩信
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用3μm工艺条件制得SiGeHBT(HeterojunctionBipolarTransistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景
%K HBT
%K SiGe
%K microwave
%K low noise<br>HBT
%K SiGe
%K 微波
%K 低噪声
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A1446C88D82C434B&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=A48DE16C07AAAB06&eid=0A0BD3F594F876C0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=6&reference_num=5