Investigation of GaN Growth Directly on Si (001)by ECR Plasma Enhanced MOCVD
GaN在Si(001)上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究(英文)

研究了用电子回旋共振 (ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (PEMOCVD)技术在 Si(0 0 1)衬底上 ,低温 (6 2 0～ 72 0℃ )下 Ga N薄膜的直接外延生长及晶相结构 .高分辨透射电镜 (HRTEM)和 X射线衍射 (XRD)结果表明 :在 Si(0 0 1)衬底上外延出了高度 c轴取向纤锌矿结构的 Ga N膜 ,但在 Ga N/ Si(0 0 1)界面处自然形成了一层非晶层 ,其两个表面平坦而陡峭 ,厚度均匀 (≈ 2 nm) .分析认为 ,在初始成核阶段 N与 Si之间反应所产生的这层 Six Ny非晶层使 Ga N的 β相没有形成 .XRD和原子力显微镜 (AFM)结果表明 ,衬底表面的原位氢等离子体清洗 ,Ga N初始