%0 Journal Article
%T Investigation of GaN Growth Directly on Si (001)by ECR Plasma Enhanced MOCVD<br>GaN在Si(001)上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究(英文)
%A XU Yin
%A GU Biao
%A Qin Fuwen
%A Li Xiaona
%A Wang Sansheng
%A <br>徐茵
%A 顾彪
%A 秦福文
%A 李晓娜
%A 王三胜
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了用电子回旋共振 (ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (PEMOCVD)技术在 Si(0 0 1)衬底上 ,低温 (6 2 0～ 72 0℃ )下 Ga N薄膜的直接外延生长及晶相结构 .高分辨透射电镜 (HRTEM)和 X射线衍射 (XRD)结果表明 :在 Si(0 0 1)衬底上外延出了高度 c轴取向纤锌矿结构的 Ga N膜 ,但在 Ga N/ Si(0 0 1)界面处自然形成了一层非晶层 ,其两个表面平坦而陡峭 ,厚度均匀 (≈ 2 nm) .分析认为 ,在初始成核阶段 N与 Si之间反应所产生的这层 Six Ny非晶层使 Ga N的 β相没有形成 .XRD和原子力显微镜 (AFM)结果表明 ,衬底表面的原位氢等离子体清洗 ,Ga N初始
%K PEMOCVD
%K GaN/Si(001) interface
%K crystalline phase structure<br>PEMOCVD
%K GaN/Si(001)界面
%K 晶相结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C08A31E9E64EAAB6&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=5C10CB62DEB8898B&eid=3559FBE006544B4B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=11