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ISSN: 2333-9721
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半导体学报 1995

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

任迪远,余学锋,陆妩,王国彬,张国强,范隆,严荣良

Keywords: MOSFET,电离辐射,跨导退化模型,辐射感生

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Abstract:

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．

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