%0 Journal Article
%T MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型
%A 任迪远
%A 余学锋
%A 陆妩
%A 王国彬
%A 张国强
%A 范隆
%A 严荣良
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．
%K MOSFET
%K 电离辐射
%K 跨导退化模型
%K 辐射感生
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4043DA749A3AE8DB&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=FF58680609C9D068&eid=DFBC046213B3DD86&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=6&reference_num=2