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半导体学报 2005
AlGaN/GaN HEMT on Sapphire Using FC Bonding
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Abstract:
采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs，并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理．从测试结果看，器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W，直流特性明显增加，饱和电流提高33％．表明采用FC技术有效改善了器件散热，而且引入的寄生电感较小，可获得更大输出功率．如果进一步完善频率特性的优化，可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程．
