%0 Journal Article
%T AlGaN/GaN HEMT on Sapphire Using FC Bonding<br>基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT
%A Chen Xiaojuan
%A Liu Xinyu
%A SHAO Gang
%A Liu Jian
%A He Zhijing
%A Wang Suofa
%A Wu Dexin
%A <br>陈晓娟
%A 刘新宇
%A 邵刚
%A 刘键
%A 和致经
%A 汪锁发
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs，并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理．从测试结果看，器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W，直流特性明显增加，饱和电流提高33％．表明采用FC技术有效改善了器件散热，而且引入的寄生电感较小，可获得更大输出功率．如果进一步完善频率特性的优化，可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程．
%K AlGaN/GaN
%K heterostructure field effect transistors
%K FC
%K thermal impedance<br>AlGaN/GaN
%K HEMT
%K FC
%K 倒扣
%K 热阻
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8A380CEDB7F57A5B&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=74EAF208D0F1A3E3&eid=3A834AEE2C42102E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=8