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半导体学报 2002
Silicon PIN Photodiode for UV and Blue Spectral Regions
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Abstract:
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻 (111) N型硅片上研制高性能 PIN光电二极管的工艺技术 ,测量并分析了光电二极管的 I- V、C- V和光灵敏度等性能 .有源区面积为 16 mm× 17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下 (Vd=70 V) ,环境温度为 2 5℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤ 5 n A和≤ 12 0 p F.探测器在波长区域 (380~ 5 0 0 nm )的光谱响应典型值 :4 0 0 nm为 0 .2 6 A/ W,5 0 0 nm为 0 .33A / W.量子效率在 4 0 0~90 0 nm光谱范围内达到 70 %~ 80 % .对于紫外光至蓝光区域 ,该器件是一种理想的光探测元件