%0 Journal Article
%T Silicon PIN Photodiode for UV and Blue Spectral Regions<br>紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管
%A Ning Baojun
%A Zhang Taiping
%A Zhang Lu
%A Tian Dayu
%A <br>宁宝俊
%A 张太平
%A 张录
%A 田大宇
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻 (111) N型硅片上研制高性能 PIN光电二极管的工艺技术 ,测量并分析了光电二极管的 I- V、C- V和光灵敏度等性能 .有源区面积为 16 mm× 17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下 (Vd=70 V) ,环境温度为 2 5℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤ 5 n A和≤ 12 0 p F.探测器在波长区域 (380～ 5 0 0 nm )的光谱响应典型值 :4 0 0 nm为 0 .2 6 A/ W,5 0 0 nm为 0 .33A / W.量子效率在 4 0 0～90 0 nm光谱范围内达到 70 %～ 80 % .对于紫外光至蓝光区域 ,该器件是一种理想的光探测元件
%K PIN photodiode
%K dark current
%K spectral response<br>PIN光电二极管
%K 暗电流
%K 光谱响应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=93C35E6D754598C3&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=0584DB487B4581F4&eid=6425DAE0271BB751&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=5