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Keywords: GaInP,光致发光,光学性质
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本文用光致发光(PL)研究了MOCVD生长的有序Ga0.5In0.5P外延层的光学性质.发现有序程度较强的Ga0.5In0.5P样品的PL谱中,能量最高的峰的强度随温度升高,先减弱,然后增强,最后又减弱.我们提出了一个有序Ga0.5In0.5P的模型,认为有序Ga0.5In0.5P外延层是阱定随机分布的Ⅱ型多量子阱结构,能带边之下存在带尾态。并用该模型对实验结果进行了较好的解释.
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