%0 Journal Article
%T 有序Ga_（0．5）In_（0．5）P光致发光的研究
%A 董建荣
%A 刘祥林
%A 陆大成
%A 汪渡
%A 王晓晖
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文用光致发光（ＰＬ）研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质．发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，最后又减弱．我们提出了一个有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的模型，认为有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层是阱定随机分布的Ⅱ型多量子阱结构，能带边之下存在带尾态。并用该模型对实验结果进行了较好的解释．
%K GaInP
%K 光致发光
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E12290734AA0205489237228&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=F1A8654ADB4E656E&eid=D46BA3D3D4B3C585&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2