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半导体学报 1996
X射线衍射动力学理论研究As~+注入SiAbstract: 本文用DCD法测量了注入能量为160keV,剂量为1e14~3e16cm-2,退火温度为500~700℃的As+注入Si<111>的Rockingcurve.在建立台阶模型和分布函数的基础上,用XRD动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线,得到晶格应变随注入深度的变化,以及在不同退火温度下的恢复情况.实验发现,剂量为1e16cm-2、600℃退火,Rockingcurve出现双峰,说明有固相外延层形成.剂量大于1e15cm-2,呈现了非晶特性.
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