%0 Journal Article
%T X射线衍射动力学理论研究As~＋注入Si
%A 马德录
%A 李晓舟
%A 毛晓峰
%A 高雅君
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文用ＤＣＤ法测量了注入能量为１６０ｋｅＶ，剂量为１e１４～３e１６ｃｍ－２，退火温度为５００～７００℃的Ａｓ＋注入Ｓｉ＜１１１＞的Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ．在建立台阶模型和分布函数的基础上，用ＸＲＤ动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格应变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况．实验发现，剂量为１e１６ｃｍ－２、６００℃退火，Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ出现双峰，说明有固相外延层形成．剂量大于１e１５ｃｍ－２，呈现了非晶特性．
%K X射线
%K 衍射
%K 动力学
%K 砷离子注入
%K 硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E12290730D6ADF87799483FF&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=AD0A5DE51C29AB9F&eid=B84F2E0A99FDC89A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2