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半导体学报 2002
Optimizing Structure and Processes of Nickel Induced Lateral Crystallization
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Abstract:
研究了用 Ni进行金属诱导横向晶化 ( MIL C)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化 ,改进了MIL C的结构 ,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区 ,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布 ;同时在前人的基础上优化了退火温度及时间 ,用 Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布 ,最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅 ,其大小在 70～ 80 μm左右 .同时讨论了 MIL C后生成的 Ni Si2 的去除方法 ,成功地去除了高温退火后生成的Ni Si2 ,大大减小了 Ni在多晶硅层中的分布 ,保证了将 MIL C方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中
