%0 Journal Article
%T Optimizing Structure and Processes of Nickel Induced Lateral Crystallization<br>金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化(英文)
%A Zhuo Ming
%A Xu Qiuxia
%A <br>卓铭
%A 徐秋霞
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了用 Ni进行金属诱导横向晶化 ( MIL C)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化 ,改进了MIL C的结构 ,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区 ,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布 ;同时在前人的基础上优化了退火温度及时间 ,用 Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布 ,最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅 ,其大小在 70～ 80 μm左右 .同时讨论了 MIL C后生成的 Ni Si2 的去除方法 ,成功地去除了高温退火后生成的Ni Si2 ,大大减小了 Ni在多晶硅层中的分布 ,保证了将 MIL C方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中
%K nickel
%K metal induced lateral crystallization
%K grain boundaries
%K seed widow
%K NiSi
%K 2<br>金属镍
%K 金属诱导横向晶化(MILC)
%K 晶粒间界
%K 籽晶区
%K NiSi
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=651678EB3595E9D3&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=CBB937218406B640&eid=7C786AA9670CF26C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=18