Breakdown Characteristics of N2O-Annealed H2-O2 Grown Thin Gate Oxide
氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性

研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化 H2 -O2 合成薄栅介质的击穿特性随测试 MOS电容面积的增加基本保持不变 .对于时变击穿 ,氮化同样能够明显提高栅介质的击穿电荷及其分布