%0 Journal Article
%T Breakdown Characteristics of N2O-Annealed H2-O2 Grown Thin Gate Oxide<br>氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性
%A Liu Yunlong
%A Liu Xinyu
%A Han Zhengsheng
%A Hai Chaohe
%A Qian He
%A <br>刘运龙
%A 刘新宇
%A 韩郑生
%A 海潮和
%A 钱鹤
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化 H2 -O2 合成薄栅介质的击穿特性随测试 MOS电容面积的增加基本保持不变 .对于时变击穿 ,氮化同样能够明显提高栅介质的击穿电荷及其分布
%K nitridation and H
%K 2
%K O
%K 2 oxidation
%K zero
%K time breakdown
%K TDDB<br>氮化H2-O2合成
%K 零时间击穿
%K 时变击穿
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EA9BB57178FF5F26&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=86CBF6E43FA9E551&eid=004AE5CF627F0ACA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9