InGaSn/Si接触电势差的测量

<正> 采用InGaSn 合金探针可以方便地对MOS 电容进行测量.但是要精确地知道MOS电容氧化层中总的界面电荷,必须预先知道电极金属与硅之间的接触电势差.为此我们对 InGaSn/Si接触电势差进行了测量.