%0 Journal Article
%T InGaSn/Si接触电势差的测量
%A 徐至中
%A 梁励芬
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 采用InGaSn 合金探针可以方便地对MOS 电容进行测量.但是要精确地知道MOS电容氧化层中总的界面电荷,必须预先知道电极金属与硅之间的接触电势差.为此我们对 InGaSn/Si接触电势差进行了测量.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9EC58661955FAB1EAA60CDEC2A812F65&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=0B39A22176CE99FB&sid=A8DE7703CC9E390F&eid=475189FCB44F11F6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0