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半导体学报 1983
液相外延生长的Al_xGa_(1-X)As中Al组分分布及少子扩散长度的研究Abstract: 用液相外延生长了不同x值0.2-0.8的P型和N型AlxGa_(1-x)As.用X光能谱法测量了厚度10μm范围内的Al组分分布.发现在厚度为5μm以内Al组分基本上是均匀的,而在5μm以外随着厚度的增加对于高Al样品x值是增高的,而对于较低Al组分样品x值降低.用EBIC方法测量了电子和空穴的扩散长度.得到在掺杂杂质浓度相同的条件下电子的扩散长度随Al组分x值的增加而减小.空穴的扩散长度则不随Al组分的变化而变化.
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