%0 Journal Article
%T 液相外延生长的Al_xGa_(1-X)As中Al组分分布及少子扩散长度的研究
%A 刘宏勋
%A 陈娓兮
%A 虞丽生
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 用液相外延生长了不同x值0.2-0.8的P型和N型AlxGa_(1-x)As.用X光能谱法测量了厚度10μm范围内的Al组分分布.发现在厚度为5μm以内Al组分基本上是均匀的,而在5μm以外随着厚度的增加对于高Al样品x值是增高的,而对于较低Al组分样品x值降低.用EBIC方法测量了电子和空穴的扩散长度.得到在掺杂杂质浓度相同的条件下电子的扩散长度随Al组分x值的增加而减小.空穴的扩散长度则不随Al组分的变化而变化.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FB900E9E6F340A15DB70B4BA15B43548&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=39EEF47180459690&eid=6700D0D256586E73&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0