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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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直接从MOS结构C-t曲线计算少数载流子体产生寿命的新方法

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Abstract:

本文从准平衡能带图出发,按精确的体产生宽度计算得到了MOS结构C-t瞬态响应曲线的表达式.由此可以直接从测得的C-t曲线计算出少数载流子体产生寿命.从而给出一种求体产生寿命的新方法.理论计算和实验结果相符.

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