%0 Journal Article
%T 直接从MOS结构C-t曲线计算少数载流子体产生寿命的新方法
%A 程文超
%A 黄振岗
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文从准平衡能带图出发,按精确的体产生宽度计算得到了MOS结构C-t瞬态响应曲线的表达式.由此可以直接从测得的C-t曲线计算出少数载流子体产生寿命.从而给出一种求体产生寿命的新方法.理论计算和实验结果相符.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=188BF7B0C6434BC5478BB9AF7E5F5A50&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=CA5852BD1A173B3A&eid=FD7C952458BFB5D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0