在离子注入硅激光退火时引入缺陷

我们用CWCO_2激光对注B~+硅片从背面进行辐照,注入的样品受到激光退火的同时,在背面附近的体内引入了大量的晶格损伤.这些损伤可以作为有害杂质的非本征吸杂源.