%0 Journal Article
%T 在离子注入硅激光退火时引入缺陷
%A 鲍希茂
%A 黄信凡
%A 郭禾
%A 张梅
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 我们用CWCO_2激光对注B~+硅片从背面进行辐照,注入的样品受到激光退火的同时,在背面附近的体内引入了大量的晶格损伤.这些损伤可以作为有害杂质的非本征吸杂源.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AACAEDAF8D4FB93D2199710AF25383B3&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=6341CCF6B158C5F9&eid=1D5555D0B4345CA8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0