Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响

本文研究了硫系化合物玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2在低温下的电导机理,发现该材料在低温下具有一定的变程跳跃导电特性(Inσ～T~(-1/4),作者从电子有效负相关能的变化解释了这种现象.