%0 Journal Article
%T Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响
%A 陈光华
%A 王印月
%A 吴锦华
%A 甘润今
%A 张仿清
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文研究了硫系化合物玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2在低温下的电导机理,发现该材料在低温下具有一定的变程跳跃导电特性(Inσ～T~(-1/4),作者从电子有效负相关能的变化解释了这种现象.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=310061883BBAD74D23FAD4278D01C219&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=38B194292C032A66&sid=3E0812ED84A7B31D&eid=AC1578C6BB9EBDEF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0