MISIS结构的电特性和C(V)研究

通过解一维泊松方程,对均匀掺杂的MISIS结构进行模拟,研究了表层硅厚度对该结构中电势分布和载流子浓度分布的影响.模拟结果表明:在加栅压V_G时,表层硅中同时存在一个耗尽区和积累区,在耗尽区和积累区中间至少存在一个电中性点.在表层硅厚度大于相应的最大耗尽层宽度的1.6倍时,表层硅厚度对MISIS结构性质无影响.本文还从理论上推导出厚表层硅情况下的MISIS结构理想C(V)关系,并得到与实验相符合的结果.研究结果表明:C(V)特性对于研究MISIS结构中的参数,具有分析一般MIS结构相同的功能.