%0 Journal Article
%T MISIS结构的电特性和C(V)研究
%A 陈晖
%A 张继盛
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 通过解一维泊松方程,对均匀掺杂的MISIS结构进行模拟,研究了表层硅厚度对该结构中电势分布和载流子浓度分布的影响.模拟结果表明:在加栅压V_G时,表层硅中同时存在一个耗尽区和积累区,在耗尽区和积累区中间至少存在一个电中性点.在表层硅厚度大于相应的最大耗尽层宽度的1.6倍时,表层硅厚度对MISIS结构性质无影响.本文还从理论上推导出厚表层硅情况下的MISIS结构理想C(V)关系,并得到与实验相符合的结果.研究结果表明:C(V)特性对于研究MISIS结构中的参数,具有分析一般MIS结构相同的功能.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A65F545B9A0C40C4ED02E59DF912B086&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=769BD58726D66E7D&eid=70AC2EF7F2065E09&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0