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ISSN: 2333-9721
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离子注入氮化硅隔离的CMOS器件

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本文描述用离子注入氮化硅层隔离的单晶硅膜制作的CMOS器件.给出这种CMOS器件的工艺方法以及晶体管和倒相器的特性,讨论这种技术的发展前景.

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