%0 Journal Article
%T 离子注入氮化硅隔离的CMOS器件
%A 刘忠立
%A 伏·车慈曼
%A 依·罗伯特
%A 格·启姆
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文描述用离子注入氮化硅层隔离的单晶硅膜制作的CMOS器件.给出这种CMOS器件的工艺方法以及晶体管和倒相器的特性,讨论这种技术的发展前景.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9E4A58E195F5ECE7477FE278475180A2&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=ED9DF3402785F68D&eid=10A39635766FF5D0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0