高掺杂半导体中补偿程度和注入水平对带尾结构的影响

本文分析了影响高掺杂半导体中杂质势能涨落大小的因素.建立了较简便的自治计算近似方法.计算了不同补偿度下的势能涨落均方差及Halperin-Lax带尾,得到随补偿程度增加势能涨落和带尾迅速变大的结论.研究了注入水平和较深受主能级对势能涨落的影响,得到注入将使带尾变小而较深受主能级将会加大带尾的结论.