%0 Journal Article
%T 高掺杂半导体中补偿程度和注入水平对带尾结构的影响
%A 郭长志
%A 李国华
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文分析了影响高掺杂半导体中杂质势能涨落大小的因素.建立了较简便的自治计算近似方法.计算了不同补偿度下的势能涨落均方差及Halperin-Lax带尾,得到随补偿程度增加势能涨落和带尾迅速变大的结论.研究了注入水平和较深受主能级对势能涨落的影响,得到注入将使带尾变小而较深受主能级将会加大带尾的结论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ED72B422CFF664FFA41DEC865F22AD42&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=771469D9D58C34FF&eid=933658645952ED9F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0