射频溅射a-Si:H样品的光诱导光学吸收的变化

<正> Staebler和Wronsiki于1977年发现a-Si∶H样品在长时间强光照射以后会引起光、暗电导率降低,而在150℃以上的温度下退火能得到恢复.以后人们又发现强光曝照还会诱导a-Si∶H的其它一些性质的改变:光致发光光谱、电子自旋密度、能隙的态密度变化、扩散长度、太阳电池性能等的变化.这种光致特性变化在硫属玻璃中早有发现,并曾被归因于不同的局部性质,如孤对非键合轨道.但是,这些机理显然不适用于非晶态硅这类四面体键合材料.加之这种亚稳态对器件的性能影响极大,因此,近年来受到广泛的重视,进行了大量的研究工作,对此现象的来源和作用机理提出种种的模型,但至今尚未得到公认的合理结论.