%0 Journal Article
%T 射频溅射a-Si:H样品的光诱导光学吸收的变化
%A 章佩娴
%A 谭翠玲
%A 朱琼瑞
%A 彭少麒
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X <正> Staebler和Wronsiki于1977年发现a-Si∶H样品在长时间强光照射以后会引起光、暗电导率降低,而在150℃以上的温度下退火能得到恢复.以后人们又发现强光曝照还会诱导a-Si∶H的其它一些性质的改变:光致发光光谱、电子自旋密度、能隙的态密度变化、扩散长度、太阳电池性能等的变化.这种光致特性变化在硫属玻璃中早有发现,并曾被归因于不同的局部性质,如孤对非键合轨道.但是,这些机理显然不适用于非晶态硅这类四面体键合材料.加之这种亚稳态对器件的性能影响极大,因此,近年来受到广泛的重视,进行了大量的研究工作,对此现象的来源和作用机理提出种种的模型,但至今尚未得到公认的合理结论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B937852B4B22045D557644CD9C7D81A1&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=CD26609C367AC9C8&eid=4081E94A71AB3C30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0