由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命的深度分布

本文分析了MOS结构的电流和电容对阶跃电压的瞬态响应过程.应用较精确的产生区模型,提出了由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命τ_g的深度分布的正确方法. 在实验上,本文提出了直接记录I-C瞬态曲线的实验方法.本文指出,依据这样一条直接记录的I-C瞬态曲线,就可以确定产生寿命τ_g的深度分布.