%0 Journal Article
%T 由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命的深度分布
%A 张秀淼
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文分析了MOS结构的电流和电容对阶跃电压的瞬态响应过程.应用较精确的产生区模型,提出了由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命τ_g的深度分布的正确方法. 在实验上,本文提出了直接记录I-C瞬态曲线的实验方法.本文指出,依据这样一条直接记录的I-C瞬态曲线,就可以确定产生寿命τ_g的深度分布.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8BC88C5A0BFEB36C&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=CB3428B1EFB1C133&eid=4BEA9A781F286FC6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0