全部 标题 作者 关键词 摘要
Full-Text Cite this paper Add to My Lib
本文首次报道了利用ER谱研究重掺杂对半导体Si能带结构的影响.发现L点附近的带隙(E_1)明显变宽.
Full-Text
Contact Us
service@oalib.com
QQ:3279437679
WhatsApp +8615387084133