%0 Journal Article
%T 重掺杂对Si能带结构的影响
%A 赵明山
%A 王若桢
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文首次报道了利用ER谱研究重掺杂对半导体Si能带结构的影响.发现L点附近的带隙(E_1)明显变宽.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9A455B16347D21A05DD885597A80650F&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1E41DF9426604740&eid=38685BC770C663F2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0