InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据

用电子能量损失谱证实了,在超高真空中用氩离子刻蚀所获得的 InAs(111)和 InSb(111)清洁表面上会形成In岛.而生成In岛的容易程度按InP、IuAs、InSb的次序递减.