%0 Journal Article
%T InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据
%A 侯晓远
%A 俞鸣人
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 用电子能量损失谱证实了,在超高真空中用氩离子刻蚀所获得的 InAs(111)和 InSb(111)清洁表面上会形成In岛.而生成In岛的容易程度按InP、IuAs、InSb的次序递减.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3240A14956BA023406B0067AD250C318&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=23104246A5FCFCEF&eid=64963996248CBF47&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0